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        半導體激光芯片商長光華芯戰略投資中久大光
        發布時間:2023-06-13    來源:網絡   閱讀次數:3146 分享到:

        據天眼查顯示,長光華芯通過全資子公司蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司投資中久大光,持股比例1%,并于5月29日完成工商變更。

        中久大光坐落在中國科技城—四川綿陽,是中國久遠和中國工程物理研究院激光聚變研究中心(九院八所)的成果轉化和產業化依托平臺。公司在成都設有研發中心,并在深圳、武漢、濟南等地設有辦事處,擁有清華、北大、中科大等一流大學博士組成的研發團隊,技術實力雄厚,產業鏈齊全。公司承擔多項國家重大專項,主要業務包括光纖激光設備、光纖激光器、光纖器件等,在特種光纖設計制備領域亦有布局。

        產品方面,中久大光已推出 “四高”單模、多模光纖激光器系列:具有高功率密度、高抗返光、高電光效率、高產品質量等特色;“四超”單模、多模光纖激光器系列:具有超高功率密度、超窄光譜帶寬、超輕量緊湊、超穩定可靠等優點。公司“四高”系列光纖激光器近年在民用市場異軍突起,“四超”系列引領特殊行業多年。
        從產業鏈來看,中久大光屬于長光華芯的下游。今年5月,長光華芯發布56G PAM4 EML光通信芯片,進入光芯片高端市場,開啟廣闊增長空間。該新品支持四個波長的粗波分復用(CWDM),達到了使用4顆芯片實現400Gbps傳輸速率,或8顆芯片實現800Gbps傳輸速率的應用目標。此外,公司已推出10GAPD和L波段高功率EML兩款芯片,目前產品與客戶驗證順利。

        長光華芯采用IDM模式,突破外延生長、芯片制造、封測各環節關鍵技術及工藝,擁有半導體激光行業中最大的6吋生產線。構建了砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)和氮化鎵(GaN)三大材料體系,具備邊發射和面發射兩大芯片結構技術和工藝生產平臺。
        自2018年起,長光華芯布局高速光通信芯片領域,已建成完整的光通信工藝平臺和量產產線,包含芯片設計、外延生長、臺面刻蝕、氧化工藝、電鍍金、性能測試等,攻克了材料外延生長的精確控制和穩定性難題以及激光電流的氧化限制控制難題,致力于高速率光通信芯片的設計、研發、生產及銷售。

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